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F4で256GBのメモリを搭載し、EXPO 2.0プロファイルで5200MHzで動作させています。F5aは試していません。F4は、256GBのRAMをフルスピードで動作させても安定動作した最初のBIOSだからです。EXPO 1.0では5600MHzで動作しますが、クラスレベルが急激に上昇するため、2.0でクラス42か32を使用しています。ヒートシンクを取り外しましたが、実際には何をしても上部の AMD チップがヒートシンクに触れていません。ヒートシンクが固定されている PCI-E リリース ボタンのプラスチック部分が高すぎると思うので、サーマル ペーストを塗布しました。この方法では温度が 71 度で止まりますが、パスの厚みがどのくらいかわかりません。パスを 1mm 厚のサーマル パッドに交換すると、温度がさらに下がるかどうかが気になっています。

１回目はメモリーのリードエラーで複数回Q-Flash（メーカーサポート指示リセット方法？）してたら 書き換えエラーでジ・エンド。開封時固定タイラップと一緒にMOS FANケーブルを切断したので、同等品で代替えして使っていたこともアリ有償修理（個別対応）。 ２回目は２週前にスリープに入る時に、FANの異常回転、マウス、キーボードで復帰せず。M/Bリセットボタンでも反応せず、強制電源カット。電源ONでM/Bのメモリー起動テスト00、通過後点灯各部チェック開始、終了00でOS起動せず。同様を３回行うも変わらず。 全バラ、最新BIOSでQ-Flash。成功したのち、再組立ても動作は上記と同じ。 いずれの動作でもMOS FANが電源投入時にいずれのタイミングでも回転チェックと思しき動作せず。 最終的に今回２回目の入院。 DUAL　PSUと、高クロックメモリーで性能の底上げ5.3Ghz超える程度のブーストはM/Bに負荷で？なのか。普通に組むのが最適なのかも。